台积电N2对比英特尔18A工艺:SRAM密度成为主要上风
2024-12-08SRAM单位在台积电(TSMC)3nm制程节点上,与5nm制程节点基本莫得鉴识。采选N3B和N5工艺的SRAM位单位大小鉴识为0.0199μm和0.021μm,仅松开了约5%,而N3E工艺更倒霉,基本保管在0.021μm,这意味着险些莫得缩减。不外上个月有报说念称,跟着新一代2nm制程节点的到来,引入GAA晶体管架构,SRAM单位缩减问题似乎看到了晨曦。 据TomsHardware报说念,凭证ISSCC 2025 Advance Program的信息,英特尔的Intel 18A工艺在SRAM单