4月12日音问，据韩国媒体据Kedglobal报谈，巨匠最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时期驱动批量坐褥 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引颈行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争敌手。另据业内音问东谈主士于本周四暗示，跟着东谈主工智能期间对高性能和大型存储建立的需求增长，三星电子还盘算来岁推出 430 层 NAND 芯片。

据了解，V9 NAND是继三星面前旗舰236层V8 NAND居品后的一款顶端居品，将会达到290层，股票交易主要面向大型企业事业器以及东谈主工智能和云建立。音问东谈主士称，V9 NAND 的强大之处在于三星诈欺了其双堆栈（double-stack）时刻，以终了更浅易的工序和更低的制变老本。

而在展望来岁推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。由于时刻截止，三层堆叠（triple-stack ）或三层单位（triple-level cell ）时刻被等闲合计是制造约 300 层芯片的最常用重要。不外这也会在堆栈对都方面引入更多的复杂性。SK 海力士来岁量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构 。

半导体行业计划机构 TechInsights 暗示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步进步堆叠方面的上风。

裁剪：芯智讯-林子

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